A. 3, 2,-2,-1/2 B. 2, 0, 0,-1/2 C. 2, 1, 1,-1/2 D. 3, 1, 1,-1/2
A. 电子所受屏蔽效应越强,电子能量越低 B. 电子的钻穿效应越强,电子能量越低 C. 屏蔽效应和钻穿效应的结果引起能级交错 D. n值相同,l越小,则钻穿效应越强
A. C,P,Se B. O,F,Ne C. B,Be,Li D. Li,Na,K
A. F B. Cl C. Na D. H
A. B<C<A B. A<B<C C<B<A D. B>C>A