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什么是发射区推进扩散？

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快速气相掺杂

气体浸没激光掺杂

工艺是将具有电活性的杂质,在一定温度下，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度及掺杂类型。

掩蔽扩散通常指在硅表面的特定区域进行扩散。在扩散工艺前，需要在硅片表面生长一层二氧化硅层，并用光刻等方法去除需要掺杂区域的二氧化硅以形成扩散掩蔽窗口，杂质通过窗口以垂直硅表面进行扩散，并伴随者平行硅表面的