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快速气相掺杂

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气体浸没激光掺杂

工艺是将具有电活性的杂质,在一定温度下，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度及掺杂类型。

掩蔽扩散通常指在硅表面的特定区域进行扩散。在扩散工艺前，需要在硅片表面生长一层二氧化硅层，并用光刻等方法去除需要掺杂区域的二氧化硅以形成扩散掩蔽窗口，杂质通过窗口以垂直硅表面进行扩散，并伴随者平行硅表面的

填隙式扩散指杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位，在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。空位可以自身存在，也可以由杂质原子进入产生。

A. 对
B. 错