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湿法刻蚀

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干法刻蚀

下面对湿法和干法刻蚀工艺叙述正确的有。

A. 湿法刻蚀的反应生成物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质,否则会造成反应物沉淀,影响刻蚀的正常进行。湿法刻蚀选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。湿法刻蚀钻刻严重、对图形的控制性较差,不能用于小的特征尺寸,且会产生大量的化学废液
B. 干法刻蚀各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。干法刻蚀成本高,设备复杂。
C. 干法刻蚀包括物理刻蚀、化学刻蚀和物理化学刻蚀;湿法刻蚀主要指化学刻蚀。
D. 特征尺寸大于20纳米干法较多

在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。下列对两种去胶工艺叙述正确的有。

A. 干法去胶主要有等离子去胶、紫外光分解去胶等,其中等离子去胶使用较为普遍
B. 湿法去胶的优点是去胶操作简单、效率高、可靠性高、易自动化、表面无划痕、成本低
C. 湿法去胶分为有机溶液(丙酮)去胶和无机溶液(硫酸)去胶。
D. 干法去胶工艺简单、去胶效果较干净

理想刻蚀工艺具有特点

A. 各向同性刻蚀,即具有垂直刻蚀,又具有横向刻蚀。
B. 良好的刻蚀选择性,对掩膜刻蚀速度小,对待刻蚀薄膜刻蚀速度大。
C. 加工批量大,控制容易,成本低,对环境污染小,适用于工业生产。

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