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填空题
最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、()蒸发、()。
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问答题
对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?
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填空题
离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
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单选题
金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是()。
A. 合金A-42
B. 4J29可伐
C. 4J34可伐
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问答题
对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。
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填空题
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。
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填空题
半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()型。
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填空题
半导体集成电路生产中,元件之间隔离有()()()隔离等三种基本方法.
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填空题
光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。
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问答题
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
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