在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。

微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。

人们规定：（）电压为安全电压.

A. 36伏以下
B. 50伏以下
C. 24伏以下

工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。

反应离子腐蚀是（）。

A. 化学刻蚀机理
B. 物理刻蚀机理
C. 物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A. 掩膜版
B. 扩散
C. 光刻

将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

A. 接触
B. 接近式
C. 投影

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

单晶片切割的质量要求有哪些？

粘封工艺中，常用的材料有哪几类？