半导体芯片制造工 - 半导体制造技术 - 查题吧

问答题

假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm^-2。

问答题

什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？

问答题

采用CF₄作为气体源对SiO₂进行刻蚀，在进气中分别加入O₂或H₂对刻蚀速率有什么影响？随着O₂或H₂进气量的增加，对Si和SiO₂刻蚀选择性怎样变化？为什么？

问答题

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

问答题

简述几种典型真空泵的工作原理。

问答题

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

问答题

影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

问答题

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

问答题

简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

问答题

热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

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