已知某N沟道耗尽型MOSFET管的其工作手册上显示,IDSS=20mA,截止区的VGS=-5V。请问当该MOSFET管的VGS=0V时,漏极电流是_________

A. 0mA
B. 10mA
C. 20mA
D. 40mA

一个N沟道的耗尽型MOSFET管,当VGS电压为正值时,管子应该工作在什么区?

A. 耗尽区
B. 可变电阻区
C. 截止区
D. 饱和恒流区

增强型的P沟道MOSFET管的开启电压VGS=-2V,如果此时VGS=0V,那么漏极电流是多少?

A. 0mA
B. 开启的电流值ID(ON)
C. 漏极电流最大值
D. IDSS

一个耗尽型MOSFET管接入一个共源电路中,用万用表交流档测得uds=3.2V,ugs=280mV,请问此共源放大电路的电压增益是多少?

A. 1
B. 3.2
C. 8.75
D. 11.4

耗尽型MOSFET管有时会串联构成级联的高频放大电路,使用耗尽型的原因是以下哪个选项?

A. 更小的输出电阻
B. 电容阻抗
C. 更大的输入电阻
D. 电感阻抗

以下对IDSS的描述正确的是__________

A. 漏极电流的最大值
B. VGS=-4V时漏极电流的最大值
C. VGS=0V时漏极电流的最大值
D. 源极短路时漏极电流的最大值

一个MOSFET管的伏安曲线,y轴和x轴分别是_______

A. IS和VDS
B. IC和VCE
C. ID和VGS
D. ID和VDS

为了使内阻很大的信号源的信号能够通过放大电路放大,要接一个什么组态的单管放大器在信号源之后?

A. 共射
B. 共基
C. 共源
D. 共集

场效应管从结构上分为结型、____型和____型,属于____控制____器件。（答案均为2个汉字）