题目内容

耗尽型MOSFET管有时会串联构成级联的高频放大电路,使用耗尽型的原因是以下哪个选项?

A. 更小的输出电阻
B. 电容阻抗
C. 更大的输入电阻
D. 电感阻抗

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以下对IDSS的描述正确的是__________

A. 漏极电流的最大值
B. VGS=-4V时漏极电流的最大值
C. VGS=0V时漏极电流的最大值
D. 源极短路时漏极电流的最大值

一个MOSFET管的伏安曲线,y轴和x轴分别是_______

A. IS和VDS
B. IC和VCE
C. ID和VGS
D. ID和VDS

为了使内阻很大的信号源的信号能够通过放大电路放大,要接一个什么组态的单管放大器在信号源之后?

A. 共射
B. 共基
C. 共源
D. 共集

场效应管从结构上分为结型、____型和____型,属于____控制____器件。(答案均为2个汉字)

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