A. 对 B. 错
A. 在不加外部电压时，PN结的空间电荷区中始终存在扩散和漂移，并且两者最终会达到动态平衡。 B. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区中只存在扩散不存在漂移。 C. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区变薄乃至消失。 D. 在施加外部反向电压时，PN结的空间电荷区变厚，此时只有少数载流子参与漂移运动。
A. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 B. N型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 C. P型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 D. N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
A. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿 B. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿 C. 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿 D. 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生
A. PN结的击穿有电击穿和热击穿两种 B. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿，电击穿可恢复 C. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿，电击穿不可恢复 D. 热击穿是因高温破坏了PN结内部的晶体结构，热击穿不可恢复
A. PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。 B. 当PN结反偏时，其结电容主为势垒电容。 C. 当PN结正向导通后，其结电容主要为扩散电容。 D. 由于结电容的存在，当加在PN结两端电压的变化频率足够大小，PN结将失去单向导电性。
A. 二极管按其制造工艺可分为点接触型、面接触型和平面型三种。 B. 点接触型二极管的结电容小，但允许流过的电流也小，常用于高频小信号的检波。 C. 面接触型允许流过的电流大，但结电容也大，常用于低频大电流的整流。 D. 平面型通常在集成电路中制作，常用作开关。
A. 掺杂半导体 B. 纯净半导体 C. P型半导体 D. N型半导体
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