关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是()
A. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时,首先发生的是齐纳击穿,电压足够大时发生雪崩击穿
B. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时,首先发生的是雪崩击穿,电压足够大时发生齐纳击穿
C. 发生雪崩击穿时,不发生齐纳击穿
D. 发生雪崩击穿时,齐纳击穿仍然发生
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关于PN结的击穿下面表述正确的是()
A. PN结的击穿有电击穿和热击穿两种
B. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿,电击穿可恢复
C. 电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿,电击穿不可恢复
D. 热击穿是因高温破坏了PN结内部的晶体结构,热击穿不可恢复
关于PN结的结电容下面表述正确的是()
A. PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。
B. 当PN结反偏时,其结电容主为势垒电容。
C. 当PN结正向导通后,其结电容主要为扩散电容。
D. 由于结电容的存在,当加在PN结两端电压的变化频率足够大小,PN结将失去单向导电性。
下面关于二极管结构和应用场合的表述正确的是()
A. 二极管按其制造工艺可分为点接触型、面接触型和平面型三种。
B. 点接触型二极管的结电容小,但允许流过的电流也小,常用于高频小信号的检波。
C. 面接触型允许流过的电流大,但结电容也大,常用于低频大电流的整流。
D. 平面型通常在集成电路中制作,常用作开关。
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A. play
B. to play
C. are playing
D. will play