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恒定电场的按比例缩小后，MOS器件的功耗会变大

A. 对
B. 错

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要在P-Si上制作CMOS电路，首先需要制作N阱

A. 对
B. 错

当MOS管的沟道宽度缩小到与沟道区耗尽层厚度相比拟时，MOS管的阈值电压会变大，这种现象称为（）

受短沟道效应的影响，MOS管的阈值电压会（）

为了改善热电子效应，当前MOS管普遍会制作LDD结构

A. 对
B. 错