题目内容

金属钨常常采用CVD法来准备,例如WF6与Si反应产生钨。

A. 对
B. 错

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电子束蒸发淀积的薄膜台阶覆盖性好,沾污少。

A. 对
B. 错

外延生长结束时必须进行降温取片。

A. 对
B. 错

直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。

A. 对
B. 错

SiCl4的浓度越高,气相外延的生长速率越快。

A. 对
B. 错