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场效应晶体管的工作原理是通过改变（）电压控制（）的导电能力，从而调制（）的大小。

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JFET的I-V特性用夹断条件为界限，可划分为（）和（）。

JFET的沟道夹断点最先发生在（），击穿最先发生在（）。

（）漏极导纳和（）跨导表达式相同。（）标志了JFET的放大能力。

对于JFET，沟道夹断后，漏极电压进一步增加时，耗尽区长度（），电中性的沟道长度（），这种现象称为（）