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（）漏极导纳和（）跨导表达式相同。（）标志了JFET的放大能力。

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对于JFET，沟道夹断后，漏极电压进一步增加时，耗尽区长度（），电中性的沟道长度（），这种现象称为（）

当MESFET的栅电压高于（）时，器件才能工作。

对于MESFET，当VG=0时，不出现导电沟道，称为（）型或（）器件，要想让器件工作。必须加（）向偏压；当VG=0时，不出现导电沟道，称为（）型或（）器件，要想让器件工作。必须加（）向偏压。

高电子迁移率器件（HEMT）的独特性在于（）结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时，在（）带隙半导体的一侧形成（），载流子被束缚在（）里，这些电子在垂直方向是量子化的，称为（）。这些电子的浓度受到（）的控制，电子迁移率非常（）。