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下述说法中,正确的有:

A. 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以,本征半导体导电性能比杂质半导体好。
B. n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。
C. n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
D. p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动。

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纯硅在T=0K时能吸收的辐射最长的波长是1.09µm,故硅的禁带宽度为[]（普朗克常量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.60×10−19J)

A. 0.65eV
B. 1.83eV
C. 1.60eV
D. 1.14eV

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是。

阅读下列注意事项，完成后面的程序题。1、input函数中不能有输入提示字符串。如例7.3的前两行代码：number1=input('输入第一个运算数：')number2=input('输入第二个运算数：')需要写成：number1=input()number2=input()2、严格按照输出样例的格式输出结果。3、先在IDLE文件工作模式下，编写、调试、运行程序代码，然后将程序代码复制、粘贴到题目下面的答案框中，单击运行按钮，通过后提交（使用IE浏览器时不能运行，可以换成360浏览器），没完成所有编程题前可以暂时保存，不要提交，全部完成后再提交。阅读后，请选择“已阅读”。

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