如果(1)锗用铟(三价元素)掺杂,(2)硅用锑(五价元素)掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型:

A. (1)为n型半导体,(2)为p型半导体
B. (1),(2)均为n型半导体
C. (1)为p型半导体,(2)为n型半导体
D. (1),(2)均为p型半导体

下述说法中,正确的有:

A. 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以,本征半导体导电性能比杂质半导体好。
B. n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。
C. n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
D. p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动。

纯硅在T=0K时能吸收的辐射最长的波长是1.09µm,故硅的禁带宽度为[]（普朗克常量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.60×10−19J)

A. 0.65eV
B. 1.83eV
C. 1.60eV
D. 1.14eV

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是。