如果(1)锗用铟(三价元素)掺杂,(2)硅用锑(五价元素)掺杂,则分别获得的半导体属于下述类型:
A. (1)为n型半导体,(2)为p型半导体
B. (1),(2)均为n型半导体
C. (1)为p型半导体,(2)为n型半导体
D. (1),(2)均为p型半导体
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下述说法中,正确的有:
A. 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以,本征半导体导电性能比杂质半导体好。
B. n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能。
C. n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电。
D. p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动。
纯硅在T=0K时能吸收的辐射最长的波长是1.09µm,故硅的禁带宽度为[](普朗克常量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.60×10−19J)
A. 0.65eV
B. 1.83eV
C. 1.60eV
D. 1.14eV
阅读下列注意事项,完成后面的程序题。1、input函数中不能有输入提示字符串。如例7.3的前两行代码:number1=input('输入第一个运算数:')number2=input('输入第二个运算数:')需要写成:number1=input()number2=input()2、严格按照输出样例的格式输出结果。3、先在IDLE文件工作模式下,编写、调试、运行程序代码,然后将程序代码复制、粘贴到题目下面的答案框中,单击运行按钮,通过后提交(使用IE浏览器时不能运行,可以换成360浏览器),没完成所有编程题前可以暂时保存,不要提交,全部完成后再提交。阅读后,请选择“已阅读”。
A. 已阅读