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p型MOS器件中，半导体表面的空间电荷包括（）和（）。

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MOS电容C是（）电容和（）电容串联的结果。大部分电压都落在（）电容上。其中，理想MOS器件的（）电容是常数。

对于MOSFET，热平衡时，除功函数差之外，还受电荷和陷阱的影响，这些陷阱和电荷包括（）、（）、（）和（）。

MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。

为了提高MOSFET的工作频率或工作速度，一是选择电子迁移率（）的半导体，二是（）沟道长度。