以下对电力电子器件的描述,正确的是( )
A. 一般而言,MOSFET比IGBT耐压水平更高、单管功率更低
B. 一般而言,MOSFET比IGBT耐压水平更低、单管功率更高
C. 一般而言,MOSFET比IGBT耐压水平更低、开关频率更高
D. 一般而言,MOSFET比IGBT通流能力更强、开关频率更高。
以下对宽禁带器件的描述,正确的是( )
A. 宽禁带材料包括硅、碳化硅、氮化镓等
B. 宽禁带器件工作频率比硅器件低
C. 宽禁带器件功耗比硅器件高
D. 宽禁带器件耐高温能力比硅器件更强
试举例说明二极管在电力电子电路中的三种用途,应指明电路、二极管功能、简要说明工作原理
在触发角为30°的情况下,单相半波可控整流分别带电阻性负载、阻抗性负载、阻抗负载+续流二极管时,比较不同负载时整流输出直流电压平均值的大小()。
A. 三种负载时一样大
B. 电阻性负载时比阻抗性负载和阻抗负载+续流二极管时大
C. 电阻性负载时比阻抗性负载和阻抗负载+续流二极管时小
D. 电阻性负载和阻抗负载+续流二极管时比阻抗性负载时大