3)写存储器(向存储器的 00H、 01H、 02H、 03H、 04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、 13H、 14H、 15H。)以向存储器的 00H 写入数据 11H 为例完成“写存储器” 流程图第一步:IN单元置地址,IN=(),LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=。第二步:地址打入AR单元,LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=;按动ST产生脉冲,地址打入到AR中第三步:IN单元置数据,IN=(),LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=。第四步:数据写入MEM,LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=;按动ST产生脉冲,即针数据打入到存储器中。