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对于高纯锗探测器的描述,下列说法错误的是

A. 高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B. 杂质浓度约为10^5个原子/cm3
C. 因为纯度高,所以可以有很大的结区,即敏感体积
D. 耗尽层内的电场强度不是一致的

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关于高纯锗探测器的特点表述正确的是

A. 它需要在低温下工作
B. 它需要在低温下保存
C. 工作时一般不能达到全耗尽状态
D. 不属于PN结型探测器

关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的结构,下列说法正确的是

A. 平面型体积较大
B. 同轴型体积较小
C. 两者都不需要考虑空间电荷问题
D. 对不同的结构形式,灵敏体积内的电场分布不同

关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的输出信号,下列说法正确的是

A. 平面型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
B. 信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C. 同轴型探测器,吸收位置不同但是输出信号基本相同
D. 输出电压脉冲信号是前沿不变的

关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的能量分辨率,下列说法错误的是

A. 不同原因造成的能量展宽需要平方求和在开方,求总体效应
B. 载流子统计涨落、漏电流和噪声均会造成探测器能量分辨率变差
C. 不同原因造成的能量展宽可以直接相加求总体效应
D. 载流子由于陷阱效应带来的涨落可以通过适当提高偏置电压减小

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