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扩散过程中,硅片周边表面扩散层不会对电池片造成任何影响

A. 对
B. 错

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刻蚀是采用物理或化学方法无选择性的从半导体材料表面去除不需要材料的过程

A. 对
B. 错

在经过制绒后,就决定了硅片的正反面

A. 对
B. 错

测量PECVD镀的膜厚用的四探针,测量方块电阻用的是椭偏仪。

A. 对
B. 错

三种基本程序设计结构是循环(重复)、选择和 ( )。

A. 分支
B. 过程调用
C. 多路选择
D. 顺序

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