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室温下，半导体Si中掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则空穴浓度约为（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3）

A. 1014cm-3
B. 1015cm-3
C. 1010cm-3
D. 105cm-3

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纯净Si半导体中，下列哪种杂质掺入不能形成P型半导体（）

A. B
B. Ga
C. In
D. As

在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（）移动

A. Ev
B. Ec
C. Ei
D. EF

pn结正向偏置下，空间电荷层的宽度（）。

A. 展宽
B. 变窄
C. 不变
D. 无法判断

半导体功函数是指（）

A. 导带底电子变成真空中自由电子所需最低能量
B. 价带顶电子变成真空中自由电子所需最低能量
C. 真空中自由电子最低能级与半导体本征费米能级之差
D. 真空中自由电子最低能级与半导体费米能级之差