题目内容

杂质注入之后就会占据晶格位置,产生活性,参与导电。

A. 对
B. 错

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离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅、氮化硅、金属、光刻胶等,用的较多的是光刻胶。

A. 对
B. 错

相对离子注入来说,扩散更加容易控制。

A. 对
B. 错

电流流经一个长宽相等,厚度为Xj的扩散薄层所显示出来的电阻称为方块电阻,单位是Ω。

A. 对
B. 错

利用金扩散,是因为金在硅中主要起复合中心的作用,可以减少少子寿命,提高器件的开关速度。

A. 对
B. 错