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作为放大器工作时，双极结型晶体管工作在（）区；作为开关时，往返于（）区和（）区之间。

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用等效电路模型描述BJT的电特性，该模型由两个方程组成，称为（）方程。该模型有（）个参数，但是只有（）个是独立的。

缓变的基区杂质分布，会在基区产生一个（），来抵消扩散电流。造成两个后果，缩短（）的时间，改善（）。

基区扩展电阻包括（）电阻和（）电阻。由于基区扩展电阻的存在，产生横向电位降，在发射结边缘处有更大的电流密度，这种现象称为（）效应。为了减少这种效应，可采用（）结构。

共发射极电路中，当VCE＞0时，对于给定的IB，IC随VCE的增加而（），使得集电结空间电荷区宽度变（），有效基区宽度变（），这种现象源于晶体管的（）效应，又称（）效应。