IGBT于1986年投入市场，是当时中小功率电力电子设备的主导器件。
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IGBT比MOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。
A. 对
B. 错
IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。
A. 对
B. 错
相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。
A. 对
B. 错
IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有
A. 集电极电流过大（静态擎住效应）
B. dUCE/dt过大（动态擎住效应）
C. 温度升高
D. 内部存在寄生晶闸管
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