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光刻工艺中底膜处理指对硅衬底表面进行清洗、烘干、涂底胶处理,以增强衬底与光刻胶之间的。

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是一种利用匀胶机产生的离心力在基材表面进行涂胶的方法,整个旋转涂胶过程主要分为滴胶、低速铺开、高速甩出和溶剂挥发。

曝光后烘烤是以一定温度烘烤曝光后的硅片,目的是降低的影响以及使化学反应更充分 。

光刻后最终检验指通过目检检查是否有污点和大的颗粒污染、缺陷和。

光刻胶薄膜经过显影过程后,曝过光的区域被显影液洗去,掩膜版的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来

A. 对
B. 错

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