光刻胶按其用途可分为。

A. 可见光刻胶
B. 电子束光刻胶
C. X射线光刻胶

前烘（软烘）指在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢、充分地逸出，使胶膜干燥，前烘的主要作用有。

A. 缓和涂胶过程中的胶膜内产生的应力，增加光刻胶与衬底间的黏附性
B. 增强胶膜的光吸收和抗腐蚀能力
C. 蒸发去除所有溶剂
D. 胶层减薄

曝光指使光源经过掩膜版照射衬底，使接收到光照的光刻胶光学特性发生变化，即把掩模版上的图形成像到硅衬底上。曝光工艺注意要点有。

A. 选择紫外光，光刻胶材料与紫外光（特定波长）产生反应，紫外光波长较短 ，可获得光刻胶上较高的分辨率。
B. 光刻掩模版和衬底间精确对准
C. 短时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定
D. 长时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定

坚膜就是在一定温度下，对显影后的衬底进行烘培。其主要作用有。

A. 提高光刻胶在刻蚀过程中的抗蚀性
B. 除去光刻胶中剩余的溶剂
C. 增强光刻胶对硅片表面的吸附力
D. 提高光刻胶在离子注入过程中的保护能力

光刻工艺中底膜处理指对硅衬底表面进行清洗、烘干、涂底胶处理，以增强衬底与光刻胶之间的。

是一种利用匀胶机产生的离心力在基材表面进行涂胶的方法，整个旋转涂胶过程主要分为滴胶、低速铺开、高速甩出和溶剂挥发。

曝光后烘烤是以一定温度烘烤曝光后的硅片，目的是降低的影响以及使化学反应更充分 。

光刻后最终检验指通过目检检查是否有污点和大的颗粒污染、缺陷和。

光刻胶薄膜经过显影过程后,曝过光的区域被显影液洗去,掩膜版的图形便在硅片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来

A. 对
B. 错

显影主要有三种方法，即连续喷雾显影（SPRAY）、旋转浸润显影（IMMESESEION）和静态显影（PUDDLE）。显影过程中被曝光或未曝光部分的光刻胶与光刻胶发生反应，进而出现图形。

A. 对
B. 错