坚膜就是在一定温度下,对显影后的衬底进行烘培。其主要作用有。
A. 提高光刻胶在刻蚀过程中的抗蚀性
B. 除去光刻胶中剩余的溶剂
C. 增强光刻胶对硅片表面的吸附力
D. 提高光刻胶在离子注入过程中的保护能力
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光刻工艺中底膜处理指对硅衬底表面进行清洗、烘干、涂底胶处理,以增强衬底与光刻胶之间的。
是一种利用匀胶机产生的离心力在基材表面进行涂胶的方法,整个旋转涂胶过程主要分为滴胶、低速铺开、高速甩出和溶剂挥发。
曝光后烘烤是以一定温度烘烤曝光后的硅片,目的是降低的影响以及使化学反应更充分 。
光刻后最终检验指通过目检检查是否有污点和大的颗粒污染、缺陷和。