题目内容

曝光指使光源经过掩膜版照射衬底，使接收到光照的光刻胶光学特性发生变化，即把掩模版上的图形成像到硅衬底上。曝光工艺注意要点有。

A. 选择紫外光，光刻胶材料与紫外光（特定波长）产生反应，紫外光波长较短，可获得光刻胶上较高的分辨率。
B. 光刻掩模版和衬底间精确对准
C. 短时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定
D. 长时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定

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坚膜就是在一定温度下，对显影后的衬底进行烘培。其主要作用有。

A. 提高光刻胶在刻蚀过程中的抗蚀性
B. 除去光刻胶中剩余的溶剂
C. 增强光刻胶对硅片表面的吸附力
D. 提高光刻胶在离子注入过程中的保护能力

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