集成电路中常常用于插塞的金属是:
A. 铝
B. 铜
C. 钨
D. 钛
二氧化硅的作用包括:
A. surfacepassivation(表面钝化)
B. dopingbarrier(掺杂的掩蔽层)
C. surfacedielectric(表面绝缘)
D. MOSgatesoxide(栅氧)
二氧化硅作为选择性扩散掩蔽层的条件有:
A. 二氧化硅膜足够厚
B. 二氧化硅性质比较稳定
C. 杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数
D. 杂质扩散在二氧化硅中的扩散很快
Si-O四面体,每个四面体硅和氧原子比例为:1:2。
A. 对
B. 错
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