题目内容

处于放大状态时,加在硅材料三极管的发射结正偏电压是 ( )。

A. 1~3V
B. 5~8V
C. 9~0V
D. 2V

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NPN型硅三极管工作在截止区的主要特征是 ( )。

A. UBE>5V
B. UBE<5V
C. UBE≥UCE
D. UBE≤UCE

已知某晶体管的PCM=125mW,ICM=125mA,VBRCEO=25V。在下列条件下能正常工作的是 ( )。

A. IC=130mA,VCE=5V
B. IC=50mA,VCE=30V
C. IC=20mA,VCE=15V
D. IC=10mA,VCE=12V

已知三极管的β=50,若IC=2mA,则该管的IE=( C.(忽略ICEO)。

A. 40μA
B. 2mA
C. 04mA
D. 0

温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化 ( )。

A. VBE增大,β减小
B. VBE减小,β减小
C. VBE增大,β增大
D. VBE减小,β增大