题目内容

4.12 干法刻蚀所用的原料有哪些？

A. O2
B. N2
CF4
D. F2

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4.10 湿法刻蚀后需要测试的项目有：

A. 亲水性
B. 边缘绝缘性能
C. 硅片厚度
D. 刻蚀减薄量

6.7 减反射的效果取决于减反射膜的

A. 折射率
B. 厚度
C. 反射率
D. 入射率

6.15 PECVD的目的有哪些？

A. 沉积减反膜
B. 增加硅片对光电吸收效率
C. 增加太阳电池的光电流
D. 钝化多晶硅的晶界

6.16 PECVD镀膜后发现薄膜颜色呈浅蓝，是因为镀膜镀薄了

A. 对
B. 错