题目内容

在N沟道JFET中，随着栅源电压的反向增大，使沟道消失所对应的栅源电压称为（）。

A. 截止电压
B. 导通电压
C. 夹断电压
D. 预夹断电压

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在工作过程中，由于漏源电压的不断增大，使近漏端出现夹断区的现象称为（）。

A. 夹断
B. 截止
C. 饱和
D. 预夹断

JFET的电极分别为

A. 漏极D
B. 源极S
C. 栅极G
D. 衬底B

从场效应管的结构划分，可以分为（）两大类。

A. 耗尽型FET
B. 结型FET
C. 增强型FET
D. 绝缘栅型FET

为了获得生长发育水平正常值，应采用追踪性调查。

A. 对
B. 错