题目内容

金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:

APCVD
B. LPCVD
C. PECVD
D. ALD原子层淀积

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电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备,多了下面哪一个部件?

A. 电阻丝
B. 电子束
C. 偏转电子枪
D. 石墨

在Wafer外延一层单晶硅,常用的外延技术是:

A. 气相外延VPE
B. 分子束外延MBE
C. 金属有机物CVD(MOCVD)
D. ALD原子层淀积

气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是:

A. HCl
B. Cl2
CCl4
D. SiCl4

MOCVD的含义:

A. 气相外延
B. 分子束外延
C. 金属有机物化学气相外延
D. 反外延