题目内容

在Wafer外延一层单晶硅,常用的外延技术是:

A. 气相外延VPE
B. 分子束外延MBE
C. 金属有机物CVD(MOCVD)
D. ALD原子层淀积

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气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是:

A. HCl
B. Cl2
CCl4
D. SiCl4

MOCVD的含义:

A. 气相外延
B. 分子束外延
C. 金属有机物化学气相外延
D. 反外延

LPCVD和PECVD的不同包括:

A. LPCVD主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B. PECVD主要采用等离子体提供能量
C. LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D. PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积

VPE硅时,常常采用的硅源是:

A. SiCl4
B. SiH4
C. SiH2Cl2
D. TEOS