题目内容

LPCVD和PECVD的不同包括:

A. LPCVD主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B. PECVD主要采用等离子体提供能量
C. LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D. PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积

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VPE硅时,常常采用的硅源是:

A. SiCl4
B. SiH4
C. SiH2Cl2
D. TEOS

利用硅烷制备多晶硅时,必须将硅烷进行稀释,否则会产生爆炸。

A. 对
B. 错

金属钨常常采用CVD法来准备,例如WF6与Si反应产生钨。

A. 对
B. 错

电子束蒸发淀积的薄膜台阶覆盖性好,沾污少。

A. 对
B. 错