题目内容

VPE硅时,常常采用的硅源是:

A. SiCl4
B. SiH4
C. SiH2Cl2
D. TEOS

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利用硅烷制备多晶硅时,必须将硅烷进行稀释,否则会产生爆炸。

A. 对
B. 错

金属钨常常采用CVD法来准备,例如WF6与Si反应产生钨。

A. 对
B. 错

电子束蒸发淀积的薄膜台阶覆盖性好,沾污少。

A. 对
B. 错

外延生长结束时必须进行降温取片。

A. 对
B. 错