题目内容

对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（）无关。

A. Q点
B. IDQ
C. 沟道宽长比
D. 夹断电压VP

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MOSFET由于栅源之间的PN结是反向偏置，故其栅极电阻很大。（）

A. 对
B. 错

场效应管和三极管一样，在其内部有两种载流子同时参与导电。（）

A. 对
B. 错

JFET的输入电阻比MOSFET的输入电阻小。（）

A. 对
B. 错

关节扭伤早期处理原则（）。

A. RICE原则
BICE原则
C. RICD原则