超星 - 4.1场效应管 - 查题吧

单选题

N沟道增强型MOSFET，工作在恒流区时，栅漏之间的电压差VGD（）。

A. 大于VT
B. 小于VT
C. 等于0
D. 不确定

单选题

对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS（）

A. 大于0
B. 小于0
C. 等于0
D. 任意

单选题

某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。

A. P沟道结型FET
B. 耗尽型PMOS
C. 耗尽型NMOS
D. N沟道结型FET

单选题

P沟道结型场效应管工作在恒流区时，其VGS（）。

A. 大于0
B. 小于0
C. 任意

单选题

对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（）无关。

A. Q点
B. IDQ
C. 沟道宽长比
D. 夹断电压VP

判断题

MOSFET由于栅源之间的PN结是反向偏置，故其栅极电阻很大。（）

A. 对
B. 错

判断题

场效应管和三极管一样，在其内部有两种载流子同时参与导电。（）

A. 对
B. 错

判断题

JFET的输入电阻比MOSFET的输入电阻小。（）

A. 对
B. 错

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