题目内容

某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。

A. P沟道结型FET
B. 耗尽型PMOS
C. 耗尽型NMOS
D. N沟道结型FET

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P沟道结型场效应管工作在恒流区时，其VGS（）。

A. 大于0
B. 小于0
C. 任意

对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（）无关。

A. Q点
B. IDQ
C. 沟道宽长比
D. 夹断电压VP

MOSFET由于栅源之间的PN结是反向偏置，故其栅极电阻很大。（）

A. 对
B. 错

场效应管和三极管一样，在其内部有两种载流子同时参与导电。（）

A. 对
B. 错