题目内容

N沟道增强型MOSFET，工作在恒流区时，栅漏之间的电压差VGD（）。

A. 大于VT
B. 小于VT
C. 等于0
D. 不确定

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对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS（）

A. 大于0
B. 小于0
C. 等于0
D. 任意

某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。

A. P沟道结型FET
B. 耗尽型PMOS
C. 耗尽型NMOS
D. N沟道结型FET

P沟道结型场效应管工作在恒流区时，其VGS（）。

A. 大于0
B. 小于0
C. 任意

对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（）无关。

A. Q点
B. IDQ
C. 沟道宽长比
D. 夹断电压VP