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以下不是存储器的扩展方式的是（）。

A. 位扩展
B. 行扩展
C. 字扩展
D. 字位同时扩展

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将8K×4位的EEPROM扩展成8K×8位的存储器，需要进行（）。

A. 字扩展
B. 位扩展
C. 字位扩展
D. 以上均可

用 1M×4 的 DRAM 芯片通过( )扩展可以获得 4M×8 的存储器。

A. 位
B. 字
C. 字位同时
D. 位或字

4片 16K×8 位的存储芯片可以设计成（）容量的存储器。Ⅰ. 64K×8 位 Ⅱ. 32K×4 位 Ⅲ. 32K×16 位 Ⅳ. 16K×32 位

A. Ⅰ、Ⅱ
B. Ⅱ、Ⅲ
C. Ⅰ、Ⅲ
D. Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ

在高位交叉编址的多体存储器中，主存地址的（）用于选择存储器。

A. 低位
B. 中位
C. 高位
D. 不一定