题目内容

GTO的结构特点

A. PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。
B. GTO是一种多元的功率集成器件
C. 设计α2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。
D. 导通时α1+α2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。

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A. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。
B. GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。
C. 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。
D. GTO开通过程中有强烈正反馈使器件从截止到导通。

A. 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。
B. 对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。
C. 一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。
D. 按控制目标的要求施加开通或关断的信号。

A. 光隔离
B. 磁隔离
C. 脉冲变压器
D. 光电器件

A. 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。
B. 触发脉冲应有足够的幅度。
C. 不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。
D. 有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。