A. 对 B. 错
A. PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。 B. GTO是一种多元的功率集成器件 C. 设计α2较大,使晶体管V2控 制灵敏,易于GTO关断。 D. 导通时α1+α2更接近1,导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。
A. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度较浅。 B. GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 C. 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快,承受di/dt能力强 。 D. GTO开通过程中有强烈正反馈使器件从截止到导通。