关断时间一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。
A. 对
B. 错
最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。
A. 对
B. 错
GTO的结构特点
A. PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。
B. GTO是一种多元的功率集成器件
C. 设计α2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO关断。
D. 导通时α1+α2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。
关于GTO,以下说法正确的是
A. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。
B. GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。
C. 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。
D. GTO开通过程中有强烈正反馈使器件从截止到导通。
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