电路下图所示,图中VCC=20V,RL=8Ω,T1和T2管的VCE(sat)=2V。(1)当T3管输出信号Vo3=10V(有效值)时,电路的输出功率Po为()、直流电源供给的功率PD为()、每管的管耗PT1=PT2为()、效率η为()。(2)电路的最大不失真输出功率Pom为()、输出最大功率时的效率η为()、输出最大功率时所需的Vo3值为().()
A. (1)Po=12.5W,PD≈22.5W,PT1=PT2=10W,η≈55.6%;(2)Pom=20.25W,η≈70.7%,Vo3=18V。
B. (1)Po=12.5W,PD≈22.5W,PT1=PT2=10W,η≈55.6%;(2)Pom=20.25W,η≈70.7%,Vo3≈12.73V。
C. (1)Po=12.5W,P≈22.5W,PT1=PT2=5W,η≈55.6%;(2)Pom=20.25W,η≈70.7%,Vo3≈12.73V。
D. (1)Po=12.5W,PD≈22.5W,PT1=PT2=5W,η≈55.6%;(2)Pom=20.25W,η≈70.7%,Vo3≈18V。
关于功率BJT的散热问题,以下说法中正确的是:( )
A. 在一定的温升条件下,热阻RT越小,功率BJT允许的耗散功率PCM越大。
B. 在一定的温升条件下,热阻RT越小,功率BJT允许的耗散功率PCM越小。
C. 在最高允许结温Tj和热阻RT一定的条件下,环境温度Ta愈低,功率BJT允许的耗散功率PCM越大。
D. 在最高允许结温Tj和热阻RT一定的条件下,环境温度Ta愈低,功率BJT允许的耗散功率PCM越小。
关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:( )
A. 功率MOS器件也存在二次击穿现象。
B. 功率MOS器件不可能出现二次击穿。
C. 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。
D. 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。
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