题目内容

影响CMP质量的因素包括:

A. 抛光压力
B. 转速
C. 抛光区域温度
D. 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等

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抛光终点检测常用的方法有:

A. 电动机电流法
B. 光学干涉法
C. 红外法
D. 质谱分析法

CMP技术的主要参数包括:

A. 平整度
B. 研磨均匀性
C. 磨除速率
D. 选择比
E. 缺陷

硅化钛和硅化钽常常用作金属互连工艺中的反射层和阻挡层。

A. 对
B. 错

常常用于非金属的抛光液是酸性。

A. 对
B. 错