题目内容

场效应管（FET）的低频跨导gm反映了管子的（）的作用

A.IG控制ID
B. UGS控制ID
C.IG控制UDS
D.UGS控制UDS

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当某FET的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导GM将（）

A. 增大
B. 不变
C.减少
D. 大大减少

与BJT相比，FET的温度稳定性（）

A. 差一些
B.好得多
C.大致相同
D.差得多

工作中的结型场效应管（JFET）的漏极电流等于源极各电流，这一电流（）

A. 穿过一个PN结
B. 穿过一对反偏的PN结
C. 穿过一对背向的PN结
D. 不穿过任何的PN结，穿过导电沟道

设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（）

A. 截止区
B. 导通状态
C.开关状态
D. 可变电阻区